逆变器技术发展与概况

光伏逆变器在发展过程中，经历过五个阶段，第一阶段从20世纪50年代到60年代，这一阶段晶体管SCR的诞生为正弦波逆变器的发展创造有有利的条件，KACO公司于1953制造出第一个半导体闸流管逆变器；

第二阶段20世纪70年代至80年代，这一阶段GTO（门极可关断晶闸管）的问世使得逆变技术得到发展和应用；

第三阶段从80年代到90年代，这一阶段功率场效应管、绝缘栅极晶体管、mos控制晶闸管（mct）及静电感应功率器件的诞生为逆变器向大容量方向发展奠定了基础；

第四阶段从90年代到21世纪初，微电子技术如矢量控制技术、多电平变换技术、重复技术、模糊逻辑控制等在逆变器领域得到了很好的应用；

第五阶段，从20世纪初一直到现在，逆变技术随着电力电子技术、微电子技术和现代控制理论的进步不断改进，逆变技术正向着频率更高、功率更高、体积更小的方向发展。

在定义上，通常把将交流电能变换成直流电能的过程称为整流，把完成整流功能的电路称为整流电路，把实现整流过程的装置称为整流设备或整流器。与之相对应，把将直流电能变换成交流电能的过程称为逆变，把完成逆变功能的电路称为逆变电路，把实现逆变过程的装置称为逆变设备或逆变器。

其上游为电力电子元器件、微电子芯片、集成电路、电力电容器、电抗器、变压器、机柜、机箱壳体制造等行业。该行业与上游行业的关联性较低，上游行业的影响主要体现在本行业采购成本。逆变器行业与下游行业的发展密切相关，下游行业对本行业的发展具有较大的牵引和驱动作用，国家光伏项目建设与投资是决定本行业未来需求的重要部分，其需求变化直接决定了本行业未来的发展状况。

光伏逆变器全球市场及技术现状

就光伏逆变器全球市场来说，德国SMA公司是目前世界上最大的光伏逆变器企业，虽然近年来该公司市场份额持续萎缩，但根据最新统计数据SMA仍占全球市场30%左右的市场份额。美国加利福尼亚州的Power-One紧随其后，占据全球逆变器市场12%的份额。进入前十的还有KacoNewEnergy（德国）、RefusolGmbH（德国）、SiemensIndustryAutomation（德国）、SatconTechnologyCorp.（美国）、FroniusInternational（奥地利）、IngeteamEnergy（西班牙）、ElettronicaSanterno（意大利）、DanfossSolar（丹麦）。2011年，上述10大逆变器企业共占据了全球75%的市场份额。

就光伏逆变器产品技术来说，国外还是处于领先地位。但是这种现象也会随着中国产品技术的进一步提到受到动摇。

据IHSiSuppli公司的光伏（PV）市场追踪报告，由于两大太阳能市场增长停滞或者降低上网电价补贴，2011年PV逆变器出货量从2010年的23.6GW下降到23.4GW，减少了1%。与此同时，由于平均销售价格急剧下跌，销售额也下滑15%至61亿美元。而其价格也在去年锐降14%，跌幅远大于先前预测的10%。

但是，今年逆变器出货量预计将恢复增长，有望上升5%至24.5GW，并在接下来的三年连续扩张。虽然2012年销售额将继续下滑，但降幅将缩小到只有3%，随后将在新市场的推动下恢复增长，到2014年增长率将上升到20%左右。

就逆变器技术而言，逆变器长期发展下来，转换效率持续上升，由过去的90-92%上升到98%以上，未来的目标是达到99-100%；与此同时，新技术新产品的出现，将挑战传统逆变器市场份额，如2009年开始出现的微型逆变器产品，出货量每年40%、50%的速度快速增长。

全球逆变器市场发展趋势

经过了两年多的市场波动，逆变器在下滑的光伏市场中渐渐稳住身形，趋于平稳增长状态。据IHSiSuppli预计，2013到2015年全球光伏逆变器出货量将继续增长，并于2015年增长至52GW。由于2011年德国与捷克市场的萎缩，逆变器出货量受到影响，但是其他市场的增长支撑了总体市场。去年中国逆变器产品出货量增幅最大，从691MW大增到1.6GW。美国增幅排名第二，从1.5GW上升到2.8GW。

虽然德、意、英、澳等国已经纷纷对本国光伏企业削减太阳能补贴，英国等受经济危机冲击巨大的欧洲国家甚至开始削减装机量，但是亚太地区市场需求的增长弥补了老牌光伏大国市场萎靡的空缺，中国、美国、日本以及其他新兴光伏市场的快速成长为逆变器的最大绝对增长提供了机会，展望未来，光伏逆变器的增长劲头依旧强劲。

在发展上，国际逆变器企业也纷纷通过扩充产能，建设完善渠道，加快速度切进新能源电源市场。在中国，由于成本较高、交货周期长是目前国外厂商进入内地市场的主要短板，在国内投资、合资生产销售是国际厂商抢占中国市场的必由之路。

逆变器企业主要外购产品包括各种电子元器件、结构件、电气元器件、电线电缆等。逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(BJT)，功率场效应管(MOS-FET)，绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，在大容量系统中一般均采用IGBT模块，而在高压特大容量(1000KVA以上)系统中，一般均采用IGCT、GTO等作为功率元件。供应商主要集中于日本、德国几大国际巨头：英飞凌、西门康、IR、三菱、富士等。

普通元器件行业竞争激烈，供应商议价余地较小。关键的功率器件由于技术含量高，供应商凭借技术优势在价格谈判中掌控主动权。而这也正为电子企业的发展提供了一个契机。